Администрирование Железо Микросхема защиты аккумулятора MP24AD Thu, April 27 2017  

Поделиться

нашли опечатку?

Пожалуйста, сообщите об этом - просто выделите ошибочное слово или фразу и нажмите Shift Enter.


Микросхема защиты аккумулятора MP24AD Печать
Добавил(а) microsin   

Микросхема MP24AD предназначена для реализации защиты литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов с одной энергетической ячейкой 3.7V Li-Ion или Li-Po. MP24AD встраивается прямо в корпус аккумуляторной батареи на миниатюрной печатной плате, и защищает энергетическую ячейку от перезаряда, переразряда, превышения тока разряда, превышения тока заряда и других анормальных явлений (путем выключения внутренних N-канальных транзисторов MOSFET). Защита в микросхеме построена на основе четырех детекторов напряжения, детектора короткого замыкания, источников опорного напряжения, генератора, схемы счетчика и схем логики.

original controller MP24AD

На фото показана микросхема MP24AD, установленная на плате контроллера оригинальной аккумуляторной батареи смартфона Samsung Galaxy Note GT-N7000.

На рисунке показана упрощенная блок-схема внутреннего устройства MP24AD.

MP24AD block diagram

Пояснения к схеме: VDD плюс напряжения питания узлов микросхемы, Source1 минусовой контакт защищаемой энергетической ячейки, Drain стоки силовых транзисторов микросхемы (как ни странно, этот контакт не используется), Source2 внешний минусовой контакт для подключения к зарядному устройству (и к цепи питания смартфона, где используется аккумулятор), V- специальный вход для организации защит.

Сигналы COUT (управление транзистором заряда) и DOUT (управление транзистором разряда) являются выходами CMOS, и могут напрямую управлять внутренними N-канальными транзисторами MOSFET. Выход COUT переходит в состояние лог. 0 после фиксированного времени задержки при детектировании перезаряда. Выход DOUT переходит в состояние лог. 0 после фиксированного времени задержки при детектировании переразряда, превышения тока разряда, или при детектировании короткого замыкания.

В состоянии перезаряда, если напряжение VDD меньше, чем напряжения отпускания перезаряда, то выход COUT переходит в состояние лог. 1 после фиксированного времени задержки. В состоянии переразряда, если напряжение на энергетической ячейке поднялось выше напряжения детектирования переразряда при подключенном зарядном устройстве, то выход DOUT переходит в состояние лог. 1 после фиксированного времени задержки. Ток зарядки может быть предоставлен для батареи, даже если она разряжена до 0V. 

В состоянии детектирования переразряда или короткого замыкания, если условия нагрузки батареи поменялись (снизился ток потребления или устранено короткое замыкание), то выход DOUT переходит в лог. 1 после фиксированного времени задержки. В состоянии переразряда ток потребления уменьшен до минимально возможного значения. Как только было детектировано превышение тока заряда, выход из этого состояния происходит путем отключения зарядного устройства и подключения нагрузки.

[Основные особенности микросхемы MP24AD]

1. В микросхему встроены 2 силовых N-канальных MOSFET-транзистора  с общим стоком. 

2. Уменьшенное количество внешних выводов - все основные соединения осуществлены внутри корпуса микросхемы. 

3. Применена высоковольтная технология CMOS, секция зарядного устройства выдерживает абсолютное максимальное напряжение 28V. 

4. Точность детектирования напряжений:

детектирование перезаряда ±25mV (Ta=25oC), ±45mV (Ta=-30~70oC)
детектирование переразряда ±70mV (Ta=25oC), ±80mV (Ta=-30~70oC)
детектирование перегрузки по току разряда ±10mV (Ta=25oC), ±20mV (Ta=-30~70oC)
детектирование перегрузки по току заряда ±20mV (Ta=25oC), ±40mV (Ta=-30~70oC) 

5. Задержки времени детектирования: 

детектирование перезаряда 1.00±0.20с (Ta=25oC), 1.00[+0.50,-0.40]с (Ta=-30~70oC)
детектирование переразряда 96.0±19.2мс (Ta=25oC), 96.0[+48,-38.4]мс (Ta=-30~70oC)
детектирование перегрузки по току разряда 12.0±2.4мс (Ta=25oC), 12.0[+6,-4.8]мс (Ta=-30~70oC)
детектирование перегрузки по току заряда 6.0±1.2мс (Ta=25oC), 6.0[+3.0,-2.4]мс (Ta=-30~70oC)
детектирование короткого замыкания 400[+160,-120]мкс (Ta=25oC), 400[+400,-200]мкс (Ta=-30~70oC) 

6. Функции детектирования работают даже с аварийным зарядным устройством.

7. Разрешен заряд даже при нулевом напряжении на батарее. 

8. Разрешена функция автоматического пробуждения. 

Использование продвинутой технологии предоставляет отличные параметры сопротивления открытого канала транзисторов сток-исток RDS(ON), и как следствие низкое падение напряжения на регулирующем элементе. Допустимое рабочее напряжение сток-исток составляет от 2.5V до максимального 12V. Микросхема имеет защиту от статического электричества. Благодаря наличию контроллера на микросхеме MP24AD в батарее аккумулятора схема зарядного устройства получается очень простая - по сути это должен быть источник ограниченного тока 0.5..2 A напряжением 5..7V. Требования к току заряда определяются в основном емкостью батареи и нужной скоростью зарядки.

Основные электрические характеристики микросхемы MP24AD приведены в таблице.

Параметр Обозначение Величина
Напряжение сток-исток VDS 24V
Ток стока ID 7A
Сопротивление открытого канала RDS(ON) < 44 mΩ (VGS=4.5V, ID=5A)
Защищенность от ESD (HBM)   2000V

Примечание: ESD переводится как Electro-Static Discharge (разряд статического электричества), HBM переводится как Human Body Model (модель тела человека). 

[Цоколевка MP24AD]

MP24AD package TEP 5L pinout top

MP24AD package TEP 5L pinout bottom

Вывод Назначение
1 не подключен
2 Source 1 (то же самое, что и VSS). Сюда подключается отрицательный полюс защищаемой банки Li-Po или Li-Ion (энергоноситель).
3 Source 2. Подключается к отрицательному внешнему выводу аккумуляторной батареи.
4 VDD. Напряжение питания микросхемы (+).
5 V-
6 Drain (стоки силовых транзисторов).

[Предельно допустимые значения]

Параметры приведены для условий рабочей температуры 25oC и напряжении Source1 (VSS)=0V.

Параметр Мнем. Значение Ед.
Напряжение питания VDD -0.3 .. +12 V
Напряжение на входе V- V- VDD-28 .. VDD+0.3 V
Напряжение между стоком и истоком VDS 24 V
Напряжение между истоком и затвором VGS ±12 V
Выходное напряжение COUT VCOUT VDD-28 .. VDD+0.3 V
Выходное напряжение DOUT VDOUT VSS-0.3 .. VDD+0.3 V
Рабочая температура TOPR -40 .. +85 oC
Температура хранения TSTG -55 .. +125 oC

[Электрические характеристики]

Эти параметры приведены для условий рабочей температуры 25oC:

Параметр Мнем. Условия измерения Min. Typ. Max Ед. *1
Входное напряжение питания VDD1 VDD - VSS 1.5 - 10.0 V A
Минимальное рабочее напряжение для заряда от 0V VST VDD-V-, VDD-VSS=0V - - 1.2 V A
Сопротивление нагрузки для отпускания защиты перегрузки по току RSHORT VDD=3.6V, V-=1.0V 30 50 100 F
Напряжение COUT низкого уровня VOL1 IOL=30mkA, VDD=4.5V - 0.4 0.5 V -
Напряжение COUT высокого уровня VOH1 IOH=-30mkA, VDD=3.9V 3.4 3.7 - V -
Напряжение DOUT низкого уровня VOL2 IOL=30mkA, VDD=2.0V - 0.2 0.5 V -
Напряжение DOUT высокого уровня VOH2 IOH=-30mkA, VDD=3.9V 3.4 3.7 - V -
Потребляемый ток IDD VDD=3.9V, V-=0V - 3.0 6.0 mkA L
Потребляемый ток в режиме Standby (выключено) IS VDD=2.0V - - 0.5 mkA L
Порог детектирования срабатывания защиты от перезаряда VDET1 R1=1.0kΩ 4.200 4.225 4.250 V B
Порог отпускания защиты от перезаряда VREL1 R1=1.0kΩ 3.985 4.025 4.065 V B
Порог детектирования срабатывания защиты от переразряда VDET2 V-=0V, R1=1.0kΩ 2.430 2.500 2.570 V D
Порог отпускания защиты от переразряда VREL2 R1=1.0kΩ 2.800 2.900 3.000 V D
Порог отпускания защиты от переразряда 2 VREL2' Vchg=4.2V, R1=1.0kΩ, R2=2.2kΩ 2.430 2.520 2.610 V D
Порог детектирования срабатывания защиты превышения тока разряда VDET3 VDD=3.0V, R2=2.2kΩ 0.140 0.150 0.160 V F
Порог детектирования срабатывания защиты превышения ток заряда VDET4 VDD=3.5V, R2=2.2kΩ -0.170 -0.150 -0.130 V G
Напряжение детектирования короткого замыкания VSHORT VDD=3.0V VDD-1.2 VDD-0.9 VDD-0.6 V F
Время задержки срабатывания защиты от перезаряда tVDET1 VDD=3.6V -> 4.6V 0.80 1.00 1.20 с B
Время задержки отпускания защиты от перезаряда tVREL1 VDD=4.6V -> 3.6V 1.6 2.0 2.4 мс B
Время задержки срабатывания защиты от переразряда tVDET2 VDD=3.6V -> 2.2V 76.8 96.0 115.2 мс D
Время задержки отпускания защиты от переразряда tVREL2 VDD=2.2V -> 3.6V 3.2 4.0 4.8 мс E
Время задержки срабатывания защиты от превышения тока разряда tVDET3 VDD=3.0V, V-=0V -> 1V 9.6 12.0 14.4 мс F
Время задержки отпускания защиты от превышения тока разряда tVREL3 VDD=3.0V, V-=3V -> 0V 3.2 4.0 4.8 мс F
Время задержки срабатывания защиты от превышения тока заряда tVDET4 VDD=3.5V, V-=0V -> -1V 4.8 6.0 7.2 мс G
Время задержки отпускания защиты от превышения тока заряда tVREL4 VDD=3.5V, V-=-1V -> 0V 3.2 4.0 4.8 мс G
Время задержки срабатывания защиты от короткого замыкания tSHORT VDD=3.0V, V-=0V -> 3.0V 280 400 560 мкс F
Порог детектирования защиты от превышения напряжения зарядного устройства Vchg1 VDD=3.6V, R2=2.2kΩ 6.0 8.0 10.0 V A
Порог отпускания защиты от превышения напряжения зарядного устройства Vchg2 VDD=3.6V, R2=2.2kΩ 5.3 7.3 9.3 V A
Напряжение пробоя сток-исток (Drain-Source Breakdown Voltage) BVDSS ID=250mkA, VGS=0V 24 - - V  
Ток утечки стока при нулевом напряжении на затворе (Zero Gate Voltage Drain Current) IDSS VDS=20V, VGS=0V
TJ=55oC
- - 1 mkA  
- - 5
Ток утечки затвор-подложка (Gate-Body Leakage Current) IGSS  VDS=0V, VGS=±10V - - 10 mkA  
Напряжение пробоя затвор-исток (Gate-Source Breakdown Voltage) BVGSO VDS=0V, IG=±250mkA ±12 - - V  
Пороговое напряжение затвора (Gate Threshold Voltage) VGS(th) VDS=VGS, ID=250mkA 0.6 1.0 1.5 V  
Статическое сопротивление открытого канала Source1-Source2 RSS(ON) VGS=10V, ID=5A
TJ=125oC
- 32 39  
- 50 60
VGS=4.5V, ID=5A - 38 44  
VGS=3.9V, ID=5A - 39 45  
VGS=2.5V, ID=3A - 50 64  
Прямое падение напряжения на диоде VSD IS=2A, VGS=0V 0.5 0.69  0.90 V  
Максимальный продолжительный постоянный ток подложка-диод IS       4.5 A  

Эти параметры приведены для условий рабочей температуры 30..70oC:

Параметр Мнем. Условия измерения Min. Typ. Max Ед. *1
Порог детектирования напряжения перезаряда VDET1 R1=1.0kΩ 4.180 4.225 4.270 V B
Порог напряжения отпускания защиты от перезаряда VREL1 R1=1.0kΩ 3.955 4.025 4.095 V B
Порог детектирования напряжения переразряда VDET2 V-=0V, R1=1.0kΩ 2.420 2.500 2.580 V D
Порог напряжения отпускания защиты от переразряда VREL2 R1=1.0kΩ 2.790 2.905 3.010 V D
Порог напряжения защиты от превышения тока разряда VDET3 VDD=3.0V, R2=2.2kΩ 0.130 0.150 0.170 V F
Порог напряжения защиты от превышения тока заряда VDET4 VDD=3.5V, R2=2.2kΩ -0.190 -0.150 -0.110 V G
Напряжение детектирования короткого замыкания VSHORT VDD=3.0V VDD-1.2 VDD-0.9 VDD-0.6 V F
Время задержки срабатывания защиты от перезаряда tVDET1 VDD=3.6V -> 4.6V 0.60 1.00 1.50 с B
Время задержки отпускания защиты от перезаряда tVREL1 VDD=4.6V -> 3.6V 1.2 2.0 3.0 мс B
Время задержки срабатывания защиты от переразряда tVDET2 VDD=3.6V -> 2.2V 57.6 96.0 144.0 мс D
Время задержки отпускания защиты от переразряда tVREL2 VDD=2.2V -> 3.6V 2.4 4.0 6.0 мс E
Время задержки срабатывания защиты от превышения тока разряда tVDET3 VDD=3.0V, V-=0V -> 1.0V 7.2 12.0 18.0 мс F
Время задержки отпускания защиты от превышения тока разряда tVREL3 VDD=3.0V, V-=3V -> 0V 2.4 4.0 6.0 мс F
Время задержки срабатывания защиты от превышения тока заряда tVDET4 VDD=3.5V, V-=0V -> -1V 3.6 6.0 9.0 мс G
Время задержки отпускания защиты от превышения тока заряда tVREL4 VDD=3.5V, V-=-1V -> 0V 2.4 4.0 6.0 мс G
Время задержки срабатывания защиты от короткого замыкания tSHORT VDD=3.0V, V-=0V -> 3.0V 200 400 800 мкс F
Порог срабатывания защиты от превышения напряжения зарядного устройства Vchg1 VDD=3.6V, R2=2.2kΩ 6.0 8.0 10.0 V A
Порог отпускания защиты от превышения напряжения зарядного устройства Vchg2 VDD=3.6V, R2=2.2kΩ 5.3 7.3 9.3 V A

Примечание: *1 относится к схемам тестирования.

MP24AD ID VDS fig1 MP24AD RDS ID fig2
Рис. 1. Зависимость ID от VDS Рис. 2. Зависимость RDS(ON) от ID
MP24AD ID VGS fig3 MP24AD RDS Tj fig4
Рис. 3. Зависимость ID от VGS Рис. 4. Зависимость RDS(ON) от температуры кристалла.
MP24AD RDS VGS fig5 MP24AD IDR VSDF fig6
Рис. 5. Зависимость RDS(ON) от VGS Рис. 6. Зависимость IDR от VSDF
MP24AD VGS Qg fig7 MP24AD C VDS fig8
Рис. 7. Зависимость VGS от Qg Рис. 8. Зависимость C от VDS

[Схемы для тестовых измерений]

A MP24AD measuring circuit A   E MP24AD measuring circuit E
B MP24AD measuring circuit B   F MP24AD measuring circuit F
C MP24AD measuring circuit C   G MP24AD measuring circuit G
D MP24AD measuring circuit D   H MP24AD measuring circuit H

[Описание функционирования MP24AD]

Детектор перезаряда (Overcharge detector VD1). Схема VD1 мониторит напряжение вывода VDD во время заряда. В состоянии заряда батареи, он детектирует перезаряд, если напряжение на её выводах становится больше, чем напряжение детектирования перезаряда (обычно 4.225V). И затем вывод COUT переключится в состояние низкого уровня, так что внутренний управляющий N-канальный MOSFET выключится, и запретит заряд батареи. 

После детектирования перезаряда, это состояние будет отменено, если напряжение VDD станет меньше напряжения отпускания перезаряда (обычно 4.025V). Вывод COUT перейдет в высокий уровень, так что внутренний управляющий N-канальный MOSFET включится, и заряд батареи продолжится. 

Когда напряжение VDD станет больше чем напряжение детектирования перезаряда, для отключения зарядного устройства и подключения нагрузки на выводе COUT остается низкий уровень, но нагрузка остается подключенной через паразитный диод внутреннего N-канального транзистора MOSFET. И если напряжение VDD станет ниже, чем напряжение детектирования перезаряда, вывод COUT переходит в высокий уровень, так что внутренний N-канальный транзистор MOSFET включится, и разрешит заряд батареи. 

Детектирование перезаряда и возврат в исходное состояние имеют внутренние фиксированные задержки. Когда напряжение VDD стало выше, чем напряжение детектирования перезаряда, если напряжение VDD снова станет ниже, чем напряжение детектирования перезаряда на время в пределах задержки детектирования (типичное значение 1.00 с), то перезаряд не будет детектирован. Аналогично в состоянии перезаряда, когда VDD снизится ниже напряжения перезаряда на время не более времени освобождения перезаряда (типичное значение 2 мс), то состояние перезаряда не будет отменено. 

Каскад выходного драйвера для вывода COUT имеет устройство сдвига уровня, так что будет выведено напряжение V- в качестве низкого уровня. Тип вывода COUT - выход CMOS, меняющий уровень между VDD и V-. 

Детектор переразряда (Overdischarge detector VD2). Схема VD2 отслеживает уровень напряжения VDD во время разряда. В состоянии разряда батареи переразряд детектируется, когда VDD станет ниже, чем напряжение детектирования переразряда (типичное значение 2.500V). И тогда вывод DOUT перейдет в состояние лог. 0, так что внутренний управляющий разрядом N-канальный транзистор MOSFET выключится, и это запретит дальнейший разряд батареи. 

Режим переразряда освобождается переводом DOUT в состояние высокого уровня, если напряжение батареи возрастет больше, чем напряжение детектирования переразряда, как с подключением зарядного устройства, так и без него. Ток заряда предоставляется через паразитный диод N-канального MOSFET, когда напряжение VDD станет ниже напряжения детектирования переразряда для подключенного зарядного устройства, и вывод DOUT переходит в высокий уровень так что разряд может происходить, и N-канальный MOSFET включится, когда напряжение VDD вырастет больше, чем напряжение детектирования переразряда. 

Когда напряжение батареи находится около 0V, если напряжение зарядного устройства выше, чем минимальное рабочее напряжение для заряда батареи от нулевого напряжения (максимум 1.2V), вывод COUT переходит в высокий уровень и разрешает подключение тока заряда. 

Детектирование переразряда имеет внутреннюю фиксированную задержку. Когда VDD станет ниже напряжения детектирования переразряда на время, не превышающее задержку режима переразряда (типичное значение 96 мс), то состояние переразряда детектировано не будет. Кроме того, есть также задержка выхода из режима переразряда (типичное значение 4 мс). 

Когда все схемы остановлены, и после детектирования переразряда, подразумевается состояние сна/отключения (standby). В этом режиме ток потребления (ток standby) микросхемы снижается до максимально возможного значения (при VDD=2V, максимум 0.5 мкА). 

Тип вывода DOUT - выход CMOS, уровень которого меняется между VDD и VSS

Детектор превышения тока разряда, детектор короткого замыкания (VD3, Детектор КЗ). В состояниях заряда и разряда VD3 отслеживает уровень вывода V-. Если V- станет выше, чем напряжение детектирования превышения тока разряда (типичное значение 0.150V) - из-за слишком большой нагрузки и т. п. - то произойдет детектирование состояния переразряда. Если V- станет выше напряжения детектирования короткого замыкания (типичное значение VDD-0.9V), то также будет детектирование состояния превышения тока разряда. И тогда вывод DOUT перейдет в состояние низкого уровня, так что внутренний управляющий разрядом N-канальный транзистор MOSFET выключится, и это защитит батарею от слишком большого тока разряда. 

Детектирование превышения тока разряда имеет внутреннюю фиксированную задержку. Если длительность импульса тока превышения не более времени задержки детектирования (типичное значение 12 мс), то превышение тока не будет детектировано. Кроме того, есть также время задержки выхода из режима превышения тока разряда (типичное значение 4 мс). 

Также есть задержка детектирования короткого замыкания (типичное значение 400 мкс). 

Между выводами V- и VSS встроено сопротивление для выхода из режима превышения тока разряда (типичное значение 50 kΩ). В состоянии превышения тока разряда или КЗ, если нагрузка отключится, то вывод V- будет притянут вниз к VSS через это сопротивление. И тогда V- станет ниже напряжения детектирования превышения тока разряда, что автоматически приведет к выходу из режимов превышения тока разряда или КЗ. Этот резистор подключается только при активных режимах детектирования превышения тока разряда или КЗ. В нормальном состоянии (когда идет заряд или разряд батареи), сопротивление для выхода из режима превышения тока разряда отключено. 

Детектор превышения тока заряда (Charge overcurrent detector VD4). В состоянии заряда или разряда VD4 отслеживает уровень вывода V-. Если V- станет ниже, чем напряжение превышения тока заряда (типичное значение -0.150V) - из-за ненормально высокого напряжения зарядного устройства и т. п. - то будет детектировано состояние превышения тока заряда. Тогда вывод COUT перейдет в низкий уровень, так что внутренний управляющий зарядом N-канальный транзистор MOSFET выключится, и защитит батарею от слишком высокого тока заряда. 

Выход из режима превышения тока заряда произойдет при отключении неисправного зарядного устройства и подключении нагрузки. 

Детектирование превышения тока заряда имеет внутреннюю фиксированную задержку. Когда V- станет ниже напряжения превышения детектирования тока заряда на время, не превышающее времени задержки детектирования превышения тока заряда (типичное значение 6 мс), то не будет детектирован режим превышения тока заряда. Также есть время задержки выхода из режима детектирования превышения тока заряда (типичное значение 4 мс). 

Детектор превышения напряжения зарядного устройства. Этот узел отслеживает напряжение между выводами VDD и V-, и когда напряжение станет выше, чем напряжение детектирования превышения напряжения зарядного устройства (типичное значение 8.0V), вывод COUT перейдет в состояние низкого уровня, и соответствующий внутренний N-канальный транзистор MOSFET выключится. И когда напряжение снизится ниже напряжения отпускания этой защиты (типичное значение 7.3V), то вывод COUT перейдет в состояние высокого уровня, и внутренний N-канальный транзистор MOSFET включится. Обратите внимание, что чем больше сопротивление резистора R2 (см. схему ниже), тем больше напряжение детектирования. 

Для этой функции нет задержки для срабатывания защиты и выхода из режима защиты.

[Пример схемы включения]

MP24AD Application Circuit Example

R1 и C1 снижают пульсации напряжения питания микросхемы. Но напряжения детектирования увеличиваются с увеличением резистора R1, так что значение R1 должно сохраняться 1 kΩ или менее. Кроме того выбор емкости для C1 должен быть минимум 0.1 мкф для обеспечения стабильной работы. 

R1 и R2 ограничивают ток, если зарядное устройство подключено в обратной полярности, или когда напряжение подключенного зарядного устройства превысило абсолютный максимум. R1 и R2 могут привести к превышению мощности рассеивания, так что сопротивление R1+R2 должно быть больше 1 kΩ. Кроме того, если R2 слишком велик, то отключение зарядного устройства не может быть иногда обнаружено после детектирования переразряда, так что подстройте значение R2 к номиналу 10 kΩ или менее. 

Конденсаторы C2 и C3 дают эффект стабилизации системы при воздействии пульсаций напряжения или внешних наведенных помех. После проверки характеристик работы схемы проверьте место подключения этих конденсаторов и их номинальную емкость. 

Диаграммы напряжений при перезаряде и превышении зарядного тока:

MP24AD Overcharge Charging overcurrent operations

Диаграммы при перезаряде и превышении напряжения зарядного устройства:

MP24AD Overcharge Overvoltage charger operations

Диаграммы при переразряде, превышении тока разряда, коротком замыкании (КЗ):

MP24AD Overdischarge Discharging Overcurrent and Short operations

[Маркировка, размеры посадочного места (корпуса)]

MP24AD marking

 MP24AD package dimensions

[Ссылки]

1. Микросхема bq24030, bq24031, bq24032A, bq24035, bq24038 - контроллер зарядного устройства.
2. Микросхема bq24618 - контроллер зарядного устройства.

 

Комментарии  

 
+1 #1 Visooleg 15.09.2015 20:35
:lol: Спасибо тебе огромное! Давно искал инфу на русском для mp24ad. Подключил плату с микрой mp24ad к 1 шт аккуму от ноута, заряжается, отключается всё как надо!
Цитировать
 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Top of Page